研究進展

物理所等在As(111)表面觀測到拓撲糾纏Shockley表面態(tài)

日期: 2017-02-23

|  來源: 數(shù)理化學(xué)處 【字號:

  由于平移對稱性的破缺,在晶體材料的表面可能會存在表面電子態(tài)。1939年,Shockley發(fā)現(xiàn)晶體場導(dǎo)致的體態(tài)反轉(zhuǎn)能隙中會出現(xiàn)表面態(tài),后來被稱為Shockley表面態(tài)。它在許多金屬,例如金、銀、銅、鉑、鈀、鈹、鎂等的表面廣泛存在。Shockley表面態(tài)通常表現(xiàn)出近自由電子型(即拋物線型)的能帶色散,位于晶體場導(dǎo)致的體態(tài)能帶反轉(zhuǎn)的能隙中,并且連接到體態(tài)的反轉(zhuǎn)能帶交叉的位置(圖1b)。由于表面中心反演對稱性破缺,材料中的自旋-軌道耦合會導(dǎo)致Shockley表面態(tài)能帶出現(xiàn)Rashba型的自旋劈裂,最著名的例子就是Au(111)面上Rashba劈裂的Shockley表面態(tài)。

  另一方面,由于自旋-軌道耦合,體態(tài)反轉(zhuǎn)能帶在交叉的位置通常會打開能隙,導(dǎo)致半金屬型的電子結(jié)構(gòu),即價帶和導(dǎo)帶之間在布里淵區(qū)每個位置都存在直接能隙。和拓撲絕緣體類似,也可以計算半金屬材料的Z2拓撲不變量。對于拓撲非平庸的半金屬(Z2 = 1),Rashba劈裂的表面態(tài)能帶在自旋-軌道耦合打開的能隙附近分別連接價帶和導(dǎo)帶,即拓撲糾纏的Shockley表面態(tài)(圖1a)。對于拓撲平庸的半金屬(Z2 = 0),表面態(tài)能帶同時連接導(dǎo)帶或價帶,即傳統(tǒng)意義上的Shockley表面態(tài)(圖1c)。

  最近的一些理論工作開始關(guān)注金屬表面上Shockley表面態(tài)的拓撲性質(zhì)。從實驗上判斷其拓撲性質(zhì)最直接的方法就是用角分辨光電子能譜(ARPES)探測表面態(tài)與體態(tài)之間的連接方式。然而,對于這些已知的Shockley表面態(tài),實驗驗證有很大的困難。例如金、銀、銅、鉑、鈀的Shockley表面態(tài)連接體態(tài)的位置在費米能級以上幾個eV,而常規(guī)ARPES只能測量費米能級以下的占據(jù)態(tài),即使利用泵浦技術(shù)的ARPES也只能探測費米能級以上一定范圍內(nèi)的未占據(jù)態(tài);鈹和鎂的自旋-軌道耦合很小,對能帶幾乎沒有影響,無法通過實驗分辨出表面態(tài)和體態(tài)的連接方式來確定其拓撲性質(zhì)。

  中國科學(xué)院物理研究所/北京凝聚態(tài)物理國家實驗室(籌)極端條件物理重點實驗室EX7組博士生張鵬(現(xiàn)為東京大學(xué)博士后)、博士生馬均章、副研究員錢天和研究員丁洪與東京大學(xué)物性研究所教授Shik Shin研究組合作,利用激光光源和同步輻射光源ARPES,首次測量了單質(zhì)As單晶的電子能帶結(jié)構(gòu),揭示了As(111)表面存在拓撲糾纏的Shockley表面態(tài)。SC10組博士生趙凌霄和研究員陳根富提供高質(zhì)量As單晶樣品,T04組博士生許秋楠和研究員翁紅明進行了能帶計算。

  As在費米能級附近存在晶體場導(dǎo)致的反轉(zhuǎn)能隙,ARPES測量As(111)面清晰地觀察到能隙中存在表面態(tài)。該表面態(tài)在費米能級以下具有近自由電子型的能帶色散,并顯示出Rashba型的自旋劈裂(圖2)。通過以上特征可以確認其屬于Shockley表面態(tài)。利用泵浦技術(shù),測量了費米能級以上未占據(jù)態(tài)的電子結(jié)構(gòu),觀測到表面態(tài)能帶在費米能級以上明顯偏離近自由電子型色散,并分別連接體態(tài)的導(dǎo)帶和價帶,確定了其具有拓撲非平庸的屬性(圖3)。第一性原理計算也確認了As具有拓撲非平庸屬性,并且高度復(fù)現(xiàn)了實驗觀測結(jié)果(圖3c)。這些結(jié)果揭示了As(111)面存在拓撲糾纏Shockley表面態(tài)。

  這一研究成果1月27日在線發(fā)表在《物理評論快報》(Physical Review Letters 118, 046802 (2017))上,并入選PRL編輯推薦亮點工作。該工作得到了國家自然科學(xué)基金委、科技部“國家重大科學(xué)研究計劃”和“國家重點研發(fā)計劃”、中科院先導(dǎo)B項目的支持。

  文章鏈接 

   

  圖1:Shockley表面態(tài)出現(xiàn)在晶體場導(dǎo)致的sp能帶反轉(zhuǎn)能隙中(b)。當引入自旋-軌道耦合,演化成具有Rashba劈裂的拓撲非平庸(a)或者平庸(c)的表面態(tài)。

   

  圖2:(a)As(111)面布里淵區(qū)中心附近費米面強度圖,顯示出Rashba劈裂的表面態(tài)形成兩個同心圓型的費米面。(b)表面態(tài)能帶具有Rashba劈裂的近自由電子形式的色散。(c)Rashba劈裂表面態(tài)能帶具有自旋極化。

   

  圖3:(a)利用泵浦技術(shù)測量未占據(jù)態(tài)的電子結(jié)構(gòu)(上半部分)。(b)沿\(\bar{\Gamma}-\bar{K}\) 方向能帶拓撲的示意圖。(c)第一性原理計算高度復(fù)現(xiàn)實驗結(jié)果。

 

 

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