半導(dǎo)體所等在莫爾異質(zhì)結(jié)層間激子研究中取得進展
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近日,新加坡南洋理工大學(xué)教授高煒博與中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所半導(dǎo)體超晶格國家重點實驗室研究員張俊合作,利用施主-受主對(DAP)模型解釋了二維MoS2/WSe2莫爾異質(zhì)結(jié)中密集且尖銳的局域?qū)娱g激子(IX)發(fā)射現(xiàn)象,建立了DAP IX的動力學(xué)模型,解釋了層間激子壽命與發(fā)射能量的單調(diào)依賴關(guān)系。9月18日,相關(guān)研究成果以《MoS2/WSe2莫爾異質(zhì)結(jié)中的層間施主-受主對激子》(Interlayer donor-acceptor pair excitons in MoSe2/WSe2moiré heterobilayer)為題,在線發(fā)表在《自然-通訊》(Nature Communications)上。
DAP躍遷起源于電離施主與受主之間的庫倫相互作用?;?/span>DAP躍遷模型,發(fā)射光子的能量可以表示為?。其中,EA和EB分別為缺陷能級的能量;Rm為第m近鄰的施主與受主之間的距離,由晶體結(jié)構(gòu)和晶格常數(shù)決定;表示施主與受主之間的庫侖相互作用。分立的Rm值導(dǎo)致光譜中觀察到的一系列尖峰。隨著Rm增大,尖峰之間的距離減小,變得不可分辨,形成一個寬峰。2022年,張俊研究組、高煒博與澳大利亞悉尼科技大學(xué)教授Igor Aharonovich合作,提出并通過實驗證明了hBN中寬譜密集的單光子發(fā)射的DAP躍遷機制,為設(shè)計基于hBN的量子光源和量子器件奠定了基礎(chǔ)。相關(guān)成果以Donor-Acceptor Pair Quantum Emitters in Hexagonal Boron Nitride為題,發(fā)表在《納米快報》(Nano Letters)上。https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.1c04647)。在近來的工作中,該團隊將DAP模型推廣到二維MoS2/WSe2莫爾異質(zhì)結(jié)中,解釋了密集且尖銳的局域?qū)娱g激子(IX)發(fā)射現(xiàn)象,并建立了DAP IX的動力學(xué)模型,揭示了層間激子壽命與發(fā)射能量的單調(diào)依賴關(guān)系。
二維過渡金屬硫族化物(TMDs)異質(zhì)結(jié)是研究強相關(guān)電子現(xiàn)象和量子光電子學(xué)應(yīng)用的理想平臺。由于晶格常數(shù)的差異或特定的轉(zhuǎn)角堆垛形成的莫爾超晶格可以增強電子-電子相互作用,并產(chǎn)生局域的層間激子(IX)即電子和空穴分別位于不同層中。在TMDs莫爾異質(zhì)結(jié)的熒光譜中可以觀察到許多尖銳且密集的IX發(fā)射峰。盡管磁光光譜的實驗結(jié)果顯示其中某些峰與帶邊激子態(tài)相關(guān),但無法解釋如此密集的(高達50條以上)的發(fā)射峰。探究IX的發(fā)射機制,對于相關(guān)的相操控以及單光子發(fā)射工程是緊迫的關(guān)鍵問題。?
該研究提取了IX發(fā)射峰的峰位,并與DAP模型預(yù)測的峰位進行比較。如圖1所示,實驗結(jié)果中,75%以上的峰可與理論計算的峰位匹配,說明DAP模型與實驗結(jié)果的一致性。進一步,研究通過能量和時間分辨的熒光測試證實了DAP模型的合理性。時間分辨的熒光結(jié)果可以由雙指數(shù)衰減函數(shù)擬合,說明至少有兩種不同的態(tài)參與發(fā)光,即DAP IX態(tài)和帶邊的IX態(tài)。提取出的衰減速率k1和k2在特定能量下達到最大值,這種行為可以由DAP IX的動力學(xué)以及DAP IX與帶邊IX的耦合來解釋。對于的情況,衰減速率可以近似表示為,。其中,式中kDAP為DAP IX總衰減速率,knr為DAP IX的非輻射衰減速率,kr0為DAP IX最大輻射衰減速率,RB為施主(受體)玻爾半徑,kIX為帶邊IX衰減速率,D為帶邊IX與DAP IX之間的耦合率??紤]到DAP和帶邊IX之間的耦合,RB和D的值取決于這兩個IX態(tài)之間的能量差。當兩者能量相同時,耦合率最大。與帶邊激子的耦合會增加DAP IX的波爾半徑,當峰值能量等于帶邊IX能量時,RB和D都達到最大值,由此可以得到k1和k2的最大值。如圖2所示,該模型與實驗結(jié)果吻合,進一步證實了DAP IX機制。此外,在功率依賴的時間分辨測量中,衰減速率表現(xiàn)出先減小隨后增加的趨勢,這可以由DAP IX和帶邊IX之間的退耦合解釋:在小功率下DAP IX與帶邊IX共振,隨著功率增加二者能量差增大,導(dǎo)致兩種激子態(tài)退耦合,因此波爾半徑減小,k1減?。浑S著功率繼續(xù)增加,DAP IX和帶邊IX退耦合效應(yīng)不再顯著,功率引起的非輻射衰減速率增加占主導(dǎo)作用。?
該工作為二維異質(zhì)結(jié)中的局域?qū)娱g激子的發(fā)射機制提供了新見解,揭示了莫爾超晶格中的無序態(tài)(DAP IX)與超晶格勢態(tài)(帶邊IX)之間的相互作用。在應(yīng)用方面,局域IX的多峰發(fā)射特性表明它是多功能的量子發(fā)射平臺,我們可以通過控制樣品大小來減少發(fā)射峰的數(shù)目,還可以通過控制原子位置按需產(chǎn)生和操縱層間激子發(fā)射,這對基于二維半導(dǎo)體的量子信息和模擬有重要意義。?
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圖1.?DAP IX?熒光光譜。(a-c)IX PL光譜;(d)范德華異質(zhì)結(jié)中的DAP IX示意圖;(e-g)理論計算的DAP IX峰位和實驗結(jié)果比較;(h)DAP模型的擬合度。?
圖2.?局域IX發(fā)射的壽命能量關(guān)聯(lián)。(a)IX熒光光譜隨時間變化;(b)實驗裝置;(c-f)能量和時間分辨的局域IX發(fā)射,以及對應(yīng)的衰減速率和能量的關(guān)系。?